日本SMC位置傳感器ISA3-GCP-3LB-L2驅動方式

制造工藝：

二次光刻光敏區工藝。采用此技術，在次光刻

后去掉膠層，進行氧化層的生長，約為500 a左右

件下（0.32μm） 有大的分辯率。此時光電流大

，分辯率高。注入條件為：磷注入， 能量為

；然后進行次光刻，透過二氧化硅層進行光敏

區bf2 的離子注入。這有兩個方面處，一是可有

光敏區內外電阻率比控工藝。影響高分辯率的因素

有結深、邊界條件及有效光敏區內外電阻率之比等

效地保護光敏區的表面，保護二氧化硅和硅的界面

；二是利用其屏蔽作用制得滿足器件要求的結深。

。對于同一種器件結構，光敏區在一個結深條

60kev , 劑量為4e15;硼注入， 能量60kev , 劑量為

1e13;光敏注入，能量為40kev ,劑量為4e13。

類型介紹：

它是利用檢測平衡狀態下浮子浮力的變化來進行位

置測量的。此外，它還可以配備微機，使其具有自

的衰減愈小，但是反射效率也小，所以需要根據距

離、物體表面狀況等因素來選擇聲波傳感器類型

檢、自診斷和遠傳的功能，它的是測量位置的

通過向被測物體表面發射聲波，被其反射后，傳

感器接受，通過時間和聲速來計算其到物體表面的

范圍寬、精度高。它是一種非接觸式位置的產品，

對于一些不宜接觸測量的場合是的選擇。它是

距離。聲波有一個特性它的頻率愈低，隨著距離

。高性能產品能分別出哪些是信號波，哪些是噪聲

，而且還可以在高溫和大風的情況下檢測液位。

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